报告题目：III族氮化物深紫外激光和B-III-N新型材料
报告时间：2017年11月1日9:30
报告地点：西教二-407
报告人：李晓航（阿卜杜拉国王科技大学）
报告简介：
III族氮化物宽禁带半导体拥有优越的光电属性。在过去的几十年里，III族氮化物光电子学如蓝光LED的发展已经给很多产业带来革命性的变化和升级，并被2014年诺贝尔物理奖嘉奖。尽管如此，III族氮化物光电子学依然在紫外波段拥有极大的研究潜力和应用前景。比如说，紫外LED预计会极大的改变整个消毒杀菌产业。紫外激光预计会在通信和生化探测领域带来革命性的影响。此报告将讨论深紫外半导体激光的发展和应用。另外，此报告也将介绍B-III-N等新型材料的最新研究进展和应用。
报告人简介：
李晓航教授是KAUST先进半导体实验室的PI兼博士生导师。他在美国佐治亚理工学院获得电子工程博士学位。他多次承担美国能源部、美国国防高级研究计划局、美国自然科学基金、中国自然科学基金和海湾阿拉伯国家合作委员会等研究项目。
李教授是半导体深紫外激光研究的先驱者之一：他在全球首次实现在蓝宝石上波长短于260纳米激光和低阈值深紫外激光，首次实现在同一衬底上TE和TM激光，和首次实现半导体深紫外表面受激辐射。另外，他在用低温低成本实现高质量AlN蓝宝石基板外延生长上做出了突出的贡献。他也在B-III-N等新型第三代半导体研究做出了世界领先和开创性的成果。他的科研成果多次被国际知名第三代半导体媒体在显著位置报道。
李教授在第三代半导体高水平杂志和会议上发表了120余篇论文，被引用1200余次（h指数16），在国际会议大学研究所和公司做受邀报告30余次。他曾受邀纂写Compound Semiconductor杂志的社论，也参与过Elsevier和Wiley等知名出版社旗下Semiconductor and Semimetals和MOCVD有关书籍的编写。他拥有十余项批准和在申的国际专利。他是Nature Photonics和Applied Physics Letter等杂志的审稿人。
李教授获得过博士生年度最高奖（全球每年一名）。另外他也获得过博士生年度最高奖（全球每年十名）和佐治亚理工学院研究生最高奖（每年一名）。
